Los avances tecnológicos del fabricante chino de chips de memoria ChangXin Memory Technologies (CXMT) han despertado inquietud en el sector, cuyos principales actores sufrieron fuertes caídas bursátiles esta semana ante las dudas sobre sus beneficios y la perspectiva de una mayor competencia china.
Las coreanas Samsung Electronics y SK Hynix perdieron este martes un 7,39% y un 10,09%, respectivamente, en la Bolsa de Seúl, mientras que la estadounidense Micron también registró descensos, en una oleada de ventas que el medio financiero chino Cailian Press vinculó parcialmente con los anuncios de CXMT y las preocupaciones sobre las inversiones en inteligencia artificial (IA).
La compañía presentó este sábado avances en una nueva arquitectura de memoria, aunque su aplicación comercial todavía afronta importantes obstáculos.
Un competidor en expansión
Fundada en 2016 y con sede en Hefei (este), CXMT es el principal fabricante chino de memorias DRAM, componentes que almacenan temporalmente los datos necesarios para el funcionamiento de ordenadores, teléfonos móviles y servidores. Su actividad se diferencia de la de Yangtze Memory Technologies (YMTC), otro fabricante chino especializado en memorias NAND, que conservan información incluso cuando los dispositivos están apagados.
Según datos de la consultora especializada en análisis de mercados tecnológicos Counterpoint Research, CXMT alcanzó en el segundo trimestre de 2026 una cuota del 10% de los ingresos mundiales por DRAM, frente al 4% de un año antes, y se situó cuarta, por detrás de Samsung (38%), SK Hynix (25%) y Micron (24%).
La compañía debutó en julio en el mercado STAR de la Bolsa de Shanghái, dedicado a empresas tecnológicas, y captó unos 66.607 millones de yuanes (9.954 millones de dólares, 8.880 millones de euros) para financiar su expansión industrial.
En el primer semestre, sus ingresos ascendieron a 150.310 millones de yuanes (22.462 millones de dólares, 20.040 millones de euros), un 873,64 % más interanual, impulsados por el encarecimiento de las memorias y el aumento de la demanda.
Una nueva arquitectura
El último anuncio llegó el 10 de octubre, cuando el presidente de CXMT, Cao Kanyu, presentó avances en la arquitectura 4F², que busca reducir la superficie de cada célula de memoria mediante una disposición vertical de los transistores.
Según el medio especializado chino STAR Market Daily, la compañía prevé presentar antes de finales de año un producto DDR5 RDIMM destinado a servidores, aunque no divulgó sus especificaciones ni confirmó una fecha de fabricación comercial.
El anuncio se suma al desarrollo de memorias de bajo consumo LPDDR6 y al inicio de producción de su plataforma tecnológica G5, presentada en septiembre, que permite fabricar más componentes por oblea.
Sin embargo, la propia empresa advirtió en su documentación bursátil de que los productos G5 todavía no habían generado ventas a gran escala y necesitaban mejorar sus rendimientos de fabricación.
Los límites del desafío
Pese a estos avances, CXMT todavía afronta dificultades para competir en las memorias de alto ancho de banda (HBM), utilizadas junto a los procesadores de IA y consideradas uno de los segmentos más rentables de la industria.
CXMT todavía no figura entre los fabricantes con ingresos registrados en el mercado mundial de memorias de alto ancho de banda (HBM), según datos de Counterpoint Research, mientras que las restricciones estadounidenses dificultan su acceso a equipos avanzados de fabricación.
El vicepresidente de investigación de la consultora, Neil Shah, advirtió el pasado julio de que las restricciones estadounidenses a la exportación de tecnología y la falta de producción a gran escala de memorias HBM siguen siendo obstáculos para CXMT, aunque consideró que estas limitaciones podrían «impulsar el desarrollo de arquitecturas alternativas».
Para Shah, la cuestión ya no es «cómo», sino «cuándo» logrará CXMT «entrar en el club de los tres grandes fabricantes de memorias», siempre que consiga ampliar su capacidad de producción y atender la demanda nacional e internacional.
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